1
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
2
گروه فیزیک
3
1گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز، اهواز، ایران
چکیده
در این کار ویژگیهای فونونی ؛ گرمایی و فشار گذار ترکیب گالیمفسفید دردو فاز پایدار بلندروی و فاز سینابار مورد بررسی قرار میگیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بستۀ محاسباتی کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است.شبه پتانسیل های مورد استفاده از نوع بارپایسته بوده و برای محاسبۀ پتانسیل تبادلی-همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است.نمودار انرژی برحسب حجم در فشار گذار نشان می دهد که فاز سینابار یک فاز شبه پایدار است. نمودار پاشندگی فونونی نشان میدهد که این ترکیب در فاز بلندروی دارای گافی بین cm-1 242 تا cm-1311 و در فاز سینابار فاقد گاف میباشد. از مطالعۀ خواص ترمودینامیکی دو فاز بلندروی و سینابار درمییابیم که در هر دو فاز افت ظرفیت گرمایی در دماهای پایین، به صورت است. در دماهای بالا نیز ظرفیت گرمایی به (قانون دولن –پتی) نزدیک میشود.
صالحی, حمداله, مخاوات, شیوا, & امیری, پیمان. (1401). مطالعۀ ابتدا به ساکن ویژگیهای فونونی وگرمایی ترکیب GaP در دو فاز بلندروی و هگزاگونال. شیمی کوانتومی و اسپکتروسکوپی, 12(38), 45-38.
MLA
حمداله صالحی; شیوا مخاوات; پیمان امیری. "مطالعۀ ابتدا به ساکن ویژگیهای فونونی وگرمایی ترکیب GaP در دو فاز بلندروی و هگزاگونال". شیمی کوانتومی و اسپکتروسکوپی, 12, 38, 1401, 45-38.
HARVARD
صالحی, حمداله, مخاوات, شیوا, امیری, پیمان. (1401). 'مطالعۀ ابتدا به ساکن ویژگیهای فونونی وگرمایی ترکیب GaP در دو فاز بلندروی و هگزاگونال', شیمی کوانتومی و اسپکتروسکوپی, 12(38), pp. 45-38.
VANCOUVER
صالحی, حمداله, مخاوات, شیوا, امیری, پیمان. مطالعۀ ابتدا به ساکن ویژگیهای فونونی وگرمایی ترکیب GaP در دو فاز بلندروی و هگزاگونال. شیمی کوانتومی و اسپکتروسکوپی, 1401; 12(38): 45-38.