در این پژوهش بر پایه‌ی نظریه‌ی تابعی چگالی، پس از بررسی ساختار سه بعدی بورفسفاید، ساختار شبه گرافنی اش را مطالعه نمودیم سپس با جذب سطحی اتمهای سیلیسم، برخی ویژگیهای الکتریکی و اپتیکی آن را محاسبه نمودیم. این محاسبات برای بورفسفاید سه بعدی، یک گاف نواری غیر مستقیم (بسیار نزدیک به گزارشهای ثبت شده) بدست آوردند اما برای ساختارِ شبه گرافنی اش که یک ساختار دو بعدی لانه زنبوری است یک گاف نواری مستقیم 9024/0 الکترون ولتی را پیش بینی می نماید که در برابر نور مرئی با قطبش عمودی بسیار شفاف و در برابر قطبش موازی، بطور گزینشی توانائی عبور، جذب و بازتاب دارد. این ویژگیها می توانند آنرا یک گزینه ی خوب برای قطعات میکرو و نانوالکترونیکی نماید. بعنوان یک کار نو، با اضافه کردن سیلیسیوم بر روی ساختارِ شبه گرافنی بورفسفاید، تاثیرات برجسته اش بر گاف نواری و چگالی حالات را بررسی نمودیم که صفر شدن گاف نواری (شبه فلز شدن ماده) یکی از پیامدهایش بود. با صفر شدن گاف نواری انتظار می رود این ساختار همچون گرافن ویژگیهای برجسته ای نشان دهد. برای جذب سطحی سیلیسم دراین ساختار چهارجایگاه ویژه وجود دارد اما پایدارترین حالت هنگامی رخ می دهد که سیلیسم بر روی بور قرار گیرد.
)